设计GaN氮化镓 PD充电器产品，首先需要评估产品空间





，根据空间大小
，计算空间内功率密度。

从目前市面上的GaN充电器电路架构综合分为：ACF 和QR；部分客户只是考虑电路成本

，选择QR架构是比ACF便宜不少
，而忽略了产品结构空间，功率密度带来的发热问题





。如小米的65W GaN充电器采用了ACF架构
，倍思是采用了QR架构

。

ACF架构比QR架构整体效率高 1-2个点
。不要小看这个1-2个点的效率

。在空间结构中转换成热量，QR架构分分钟跑到100 度去了

；

本文推荐 采用NV6115/17基于有源箝位反激（ACF）设计USB－PD 充电器产品；NV6115和NV6117分别为650V 160 mΩ和110 mΩ eMode GaN功率集成电路

，带有iDriveTM集成驱动级
，每只需要一个低电流数字输入
。

该应用电路尺寸（51 x 43 x 20.5毫米外壳）和突破性的功率密度（1.5 W/CM3）

。

AC 85-265V 输入
，开关频率可在140-490 kHz范围内调节。该设计完全符合欧洲CoC Tier 2和美国DoE六级效率标准

，此外在满负荷时达到超过94%的峰值效率


。

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