【氮化镓专栏】氮化镓GaN详细对比分析 纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用
随着中国芯GaN产品上市 ，引起了大家的关注 ，PD产品更是多姿多彩；纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品有什么区别 ？本文大奖18dj18官网就做一些比对；帮助大家清晰的了解GaN产品 。
1．从氮化镓GaN产品的名称上对比
如下图所示 ，产品GaN标示图 。纳微：GaNFast™ Power ICs 是GaN 功率IC ，而英诺赛科 ： E-Mode GaN FET 是GaN 功率管；
2.从氮化镓GaN产品结构上对比
如下图所示 ，纳微GaN产品结构 ，包含HV GaNFET，和Integrated Circuit ；电容电阻和LV GaNFET组成内部电路 ；而英诺赛科 GaN产品 对应与纳微GaN器件中的 HV GaNFET部分 ；
纳微GaN 组成部分 英诺赛科GaN产品
3.其氮化镓GaN产品特点
纳微GaN产品为单片集成GaN 功率IC；GaNFET IC集成了 ： GaN FET (650V ； Rds：110-560 mΩ) ＋ GaN 驱动器＋GaN 逻辑电路，如下图；
纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品都属于E-Mode方式；
纳微GaN产品型号 ：NV6113 、NV6115 、NV6117 、NV6125 、NV6127 、NV6252
英诺赛科GaN产品型号：INN650D01 、INN650D02
4. 氮化镓GaN产品参数对比
如下表所示，英诺赛科GaN产品型号INN650D02 对标 纳微GaN产品型号NV6125 ；其内阻和Qoss ，Coss电容值都比较接近；封装上略大一些；
5.氮化镓GaN产品应用电路
5.1 从上内容可以看 ，由于英诺赛科GaN产品是： E-Mode GaN FET ，查看其规格书参数；
英诺赛科的GaN产品的Vgs开通阈值电压为1.7V，建议的驱动电压为5.5V-6.5V ，通常选取的电压为6V。
通常使用控制IC，需要将控制输出电压转换为6V，英诺赛科GaN产品需要外部驱动转换电路 ；
有两种方式转换 ：
（5.1.1） 使用电阻电容分压电路
以QR电路结构 ，控制芯片NCP1342应用电路 ；NCP1342 DRV高电平输出（12V） R3、R4 、C1构成的分压电路，Cgs电容较小 ，很快被充电至Vgsth值，C1电容值推荐680pF至1nF之间 。
（5.1.2） 使用驱动IC
以QR电路结构 ，控制芯片NCP1342应用电路；驱动IC FAN3111E;需要VCC1通过稳压电路到VCC2 给FAN3111E供电；当VCC2值设置为6V时 ，输出电压也为6V ，输出信号IN+电压值不能超过VCC2值，需要R5/R7进行分压。C4的工作是减小由于输入端寄生电容导致的驱动信号失真 。
5.2 纳微GaN应用电路图 ，由于内置驱动电路，所以外围简洁
实际应用电路图PCB 部分截图所示 ；
以QR电路结构 ，控制芯片NCP1342应用电路 ；纳微产品内部集成了驱动电路 ，将NCP1342输出PWM信号转换成内部驱动GaN FET的驱动信号 。外围器件数量少 ，设计简单 ；
6.氮化镓GaN产品应用电路BOM列表对比
从下表中可以看到各产品外围应用电路元器件个数 ；
7.氮化镓GaN产品应用电路的优劣势
9.氮化镓GaN产品 驱动电路外置和内置的区别
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